AEC-Q101, řada: IPN MOSFET IPN60R360PFD7SATMA1 Typ N-kanálový 100 A 650 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

194,64 Kč

(bez DPH)

235,515 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 2 580 jednotka(y) budou odesílané od 18. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4538,928 Kč194,64 Kč
50 - 12031,962 Kč159,81 Kč
125 - 24529,986 Kč149,93 Kč
250 - 49528,108 Kč140,54 Kč
500 +25,738 Kč128,69 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
244-2269
Výrobní číslo:
IPN60R360PFD7SATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

SOT-223

Řada

IPN

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

3mΩ

Maximální ztrátový výkon Pd

81W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

80nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Superjunktní MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 (IPN60R360PFD7S) doplňuje nabídku CoolMOS™ 7 pro spotřebitelské aplikace. Zařízení IPN60R360PF97S v sadě SOT-223 je vybaveno systémem RDS (ON) o kapacitě 360 mOhm, což vede k nízkým ztrátám při spínání.

Velmi nízká FOM RDS (ON) x Eoss

Integrovaná robustní rychlá tělní dioda

Až 2 kV ochrana proti elektrostatickému výboji

Široký rozsah hodnot RDS (ON)

Vynikající odolnost při komutaci

Nízká hodnota EMI

Široké portfolio balíčků

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.