AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD80R1K2P7ATMA1 Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový P
- Skladové číslo RS:
- 244-1596
- Výrobní číslo:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
194,64 Kč
(bez DPH)
235,515 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 205 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 38,928 Kč | 194,64 Kč |
| 50 - 120 | 32,308 Kč | 161,54 Kč |
| 125 - 245 | 30,43 Kč | 152,15 Kč |
| 250 - 495 | 27,96 Kč | 139,80 Kč |
| 500 + | 26,084 Kč | 130,42 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-1596
- Výrobní číslo:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4mΩ | |
| Režim kanálu | P | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4mΩ | ||
Režim kanálu P | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET 800V CoolMOS™ řady P7 nastavuje nový standard v 800V superjunction technologiích a kombinuje nejlepší ve své třídě výkon se stavem ART snadné použití, vyplývající z více než 18 let průkopnické superjunction technologie inovace Infineon.
Nejlepší ve své třídě FOM RDS(ON) * Eoss
Nejlepší ve své třídě DPAK RDS (ON)
Nejlepší ve své třídě v(GS)th 3V
Plně optimalizované portfolio
Integrovaná ochrana proti elektrostatickému výboji Zenerovy diody
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový P
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový P
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový P
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový P
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový N