AEC-Q101, řada: IPT MOSFET N-kanálový 400 A 800 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 8 kolíkový

Skladové číslo RS:: 244-0901
Výrobní číslo:: IPT012N08N5ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IPT MOSFET N-kanálový 400 A 800 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (2000 jednotky/-ek, v kotouči po 2000 ks)*

138 716,00 Kč

(bez DPH)

167 846,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 05. července 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	69,358 Kč	138 716,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 244-0901
Výrobní číslo:: IPT012N08N5ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	400A
	Maximální napětí na zdroji Vds	800V
	Řada	IPT
	Typ balení	TO-263
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	1.2mΩ
	Přímé napětí Vf	1V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 400A
	Maximální napětí na zdroji Vds 800V
	Řada IPT
	Typ balení TO-263
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 1.2mΩ
	Přímé napětí Vf 1V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPT012N08N5ATMA1

Tranzistor MOSFET Infineon řady IPT, maximální zdrojové napětí vypouštění 800 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 400 A – IPT012N08N5ATMA1

Tento MOSFET je vysokonapěťové vysokoproudové spínací zařízení navržené pro náročné převody výkonu a automobilová prostředí. Funguje jako tranzistor N-kanálu pro řízení velkých stejnosměrných zátěží a je určen pro aplikace pro povrchovou montáž, kde je vyžadována tepelná odolnost a robustní elektrický výkon.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota 800 V umožňuje provoz vysokonapěťových spínačů
• Stálý proud 400 A podporuje aplikace s vysokým zatížením
• Nízká hodnota Rds(on) 1.2 mΩ minimalizuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 81 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem
• Nabíjení hradla 80 nC umožňuje předvídatelné řízení spínání
• Rozsah teplot -55 °C až 175 °C zajišťuje širokou tepelnou toleranci

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové fázové měniče
• Ideální pro správu baterií a rozvod napájení
• Používá se s napájecími měniči pro automobilový průmysl splňujícími požadavky AEC-Q101
• Lze použít pro spínání průmyslových motorových pohonů
• Používá se pro vysokoproudové topologie měničů DC/DC

Jaké limity napětí hradla je třeba dodržovat?

Zařízení přijímá napětí až 20 V mezi hradlem a zdrojem a vyžaduje vhodné úrovně pohonu hradla v rámci tohoto limitu.

Které pouzdro je třeba vzít v úvahu pro řízení teploty?

Pouzdro TO‐263 pro povrchovou montáž nabízí velkou plochu tepelné podložky pro chladič a rozptyl tepla PCB.

Jak se součástka vyrovná s kvalifikací pro automobilový průmysl?

Splňuje normu AEC‐Q101 pro testování polovodičových zařízení používaných ve vozidlech.

Shoda s jakými předpisy v oblasti životního prostředí je přítomna?

Součást splňuje požadavky RoHS pro omezené nebezpečné látky.

Jaký je typ vedení kanálu a orientace spínání?

Jedná se o zařízení s N-kanálem konfigurované pro vedení odvod-zdroj v konvenčních uspořádáních spínačů s vysokou nebo nízkou stranou.