AEC-Q101, řada: IAUC MOSFET N-kanálový 60 A 20 V Infineon, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 243-9313
Výrobní číslo:: IAUC60N04S6N044ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IAUC MOSFET N-kanálový 60 A 20 V Infineon, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

42 830,00 Kč

(bez DPH)

51 825,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 20. dubna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	8,566 Kč	42 830,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 243-9313
Výrobní číslo:: IAUC60N04S6N044ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	60A
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Řada	IAUC
	Typ balení	SuperSO8 5 x 6
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	1.4mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.1V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Řada IAUC
	Typ balení SuperSO8 5 x 6
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 1.4mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.1V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IAUC60N04S6N044ATMA1

MOSFET Infineon řady IAUC, maximální zdrojové napětí vypouštění 20 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 60 A – IAUC60N04S6N044ATMA1

Tento MOSFET je N-kanálový tranzistor s režimem zesílení navržený pro vysokoproudé spínání v automobilovém a průmyslovém prostředí. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je určen pro integraci do povrchové montáže, kde je vyžadována robustní manipulace s odvodem a zdrojem a řízení hradla.

Charakteristiky a výhody:

• Nízký odpor při zapnutí 1.4 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud 60 A podporuje těžké zátěže
• Napětí drain-zdroj 20 V umožňuje použití nízkonapěťového systému
• Rozptýlení výkonu 81 W umožňuje udržitelný tepelný výkon
• Nabíjení hradla 80 nC zajišťuje předvídatelnou spínací energii
• Jmenovité napětí zdroje brány 20 V umožňuje široké rozpětí pohonu

Aplikace

• Používá se pro budiče stejnosměrných motorů v automobilových systémech
• Vhodné pro správu baterií a rozvod napájení
• Ideální pro spínání řídicích modulů při vysokém proudovém zatížení
• Lze použít pro převod výkonu v elektronice vozidel
• Používá se se systémy řízení teploty v náročných prostředích

Jaké extrémní teploty dokáže při provozu odolat?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C a umožňuje práci v širokém spektru okolních a tepelných podmínek.

Jaké pouzdro a typ montáže jsou k dispozici pro montáž desky?

Dodává se v pouzdru SuperSO8 5x6 a je určen pro povrchovou montáž.

Jakým způsobem ovlivňuje jeho regulační stav výběr pro výrobu?

Splňuje směrnice RoHS, což znamená, že použití omezených látek je v souladu se společnými výrobními požadavky.

Jaká kvalifikace pro automobilový průmysl se vztahuje na toto zařízení pro elektroniku vozidel?

Splňuje normu AEC-Q101 pro automobilový průmysl, díky čemuž je vhodný pro specifikace automobilových součástí.