MOSFET PMV13XNEAR Typ N-kanálový 10.3 A 30 V Nexperia, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 243-4862
- Výrobní číslo:
- PMV13XNEAR
- Výrobce:
- Nexperia
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
222,80 Kč
(bez DPH)
269,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 950 jednotka(y) budou odesílané od 27. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 8,912 Kč | 222,80 Kč |
| 50 - 75 | 8,734 Kč | 218,35 Kč |
| 100 - 225 | 5,671 Kč | 141,78 Kč |
| 250 - 975 | 5,572 Kč | 139,30 Kč |
| 1000 + | 2,924 Kč | 73,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 243-4862
- Výrobní číslo:
- PMV13XNEAR
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13.6mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13.6mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nexperia N-kanál režim vylepšení pole efekt tranzistor (FET) v malém SOT23 zařízení pro povrchovou montáž (SMD) plastový balíček s příkop MOSFET technologie.
Nízké prahové napětí
Rozšířený teplotní rozsah TJ = 175 °C.
Technologie Trench MOSFET
Velmi rychlé spínání
Převod DC na DC
Vysokorychlostní linkový budič
Spínač zátěže low side
Obvody spínačů
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 10.3 A 30 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET PMV50XNEAR Typ N-kanálový 10.3 A 30 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET Typ N-kanálový 10.3 A 30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový
- MOSFET Typ N-kanálový 10.3 A 30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový
- MOSFET PSMN1R5-50YLHX Typ N-kanálový 10.3 A 30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový
- MOSFET PSMN4R8-100YSEX Typ N-kanálový 10.3 A 30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový
- MOSFET PSMN3R5-80YSFX Typ N-kanálový 10.3 A 30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový
- MOSFET PSMNR55-40SSHJ Typ N-kanálový 10.3 A 30 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový