AEC-Q101, řada: iPB MOSFET IPB120N10S405ATMA1 Typ N-kanálový 273 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

53,74 Kč

(bez DPH)

65,03 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 6 987 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +53,74 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
242-5825
Výrobní číslo:
IPB120N10S405ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

273A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

iPB

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

1.7mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

81W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

80nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Infineon MOSFET nabízí D2PAK balíček je ideální pro rezonanční topologie ve vysoce výkonné SMPS, jako jsou serverové, telekomunikační a EV nabíjecí stanice, kde umožňuje výrazné zvýšení efektivity.

N-channel – Normální úroveň – Režim vylepšení

Certifikace AEC Q101

MSL1 až 260°C Peak přetavení

Provozní teplota 175 °C

Testováno 100% Avalanche

Související odkazy