AEC-Q101, řada: IQE MOSFET IQE006NE2LM5ATMA1 Typ N-kanálový 253 A 30 V Infineon, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 242-0305
- Výrobní číslo:
- IQE006NE2LM5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
179,82 Kč
(bez DPH)
217,58 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 856 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 89,91 Kč | 179,82 Kč |
| 20 - 48 | 79,165 Kč | 158,33 Kč |
| 50 - 98 | 73,855 Kč | 147,71 Kč |
| 100 - 198 | 69,16 Kč | 138,32 Kč |
| 200 + | 63,85 Kč | 127,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 242-0305
- Výrobní číslo:
- IQE006NE2LM5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 253A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Řada | IQE | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Přímé napětí Vf | 0.73V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 253A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PQFN | ||
Řada IQE | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Přímé napětí Vf 0.73V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 3.3mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor Infineon OptMOS 5 je kanál N MOSFET, který má velmi nízký odpor. Je plně kvalifikován podle JEDEC pro průmyslové aplikace.
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Špičkový tepelný odpor
Související odkazy
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový