řada: BSC0 MOSFET N-kanálový 381 A 40 V Infineon, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 241-9689
Výrobní číslo:: BSC022N04LS6ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: BSC0 MOSFET N-kanálový 381 A 40 V Infineon, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8 kolíkový N

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

65 060,00 Kč

(bez DPH)

78 725,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 08. listopadu 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	13,012 Kč	65 060,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 241-9689
Výrobní číslo:: BSC022N04LS6ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	381A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	SuperSO8 5 x 6
	Řada	BSC0
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.7mΩ
	Režim kanálu	N
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 381A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení SuperSO8 5 x 6
	Řada BSC0
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.7mΩ
	Režim kanálu N
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - BSC022N04LS6ATMA1

Tranzistor MOSFET Infineon řady BSC0, maximální ztrátový výkon 81 W, maximální zdrojové napětí 40 V – BSC022N04LS6ATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudý N-kanálový tranzistor navržený pro převod výkonu pro povrchovou montáž a spínání v náročných tepelných prostředích. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je vhodný pro aplikace vyžadující nízké ztráty při vedení a významný nepřetržitý vypouštěcí proud při montáži v kompaktním pouzdru SuperSO8.

Charakteristiky a výhody:

• Odtokové napětí 40 V podporuje konstrukce systémů se středním napětím
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 381 A umožňuje vysokoproudé spínání
• Odpor při zapnutí 0.7 mΩ minimalizuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 81 W umožňuje výraznou tepelnou zátěž
• Typické náboje hradla 80 nC pro rychlé spínání při vysokém proudu
• Jmenovitá hodnota hradla 20 V zajišťuje široký prostor pro pohon hradla

Aplikace

• Vhodné pro vysokoproudé napájecí zdroje a měniče
• Ideální pro stupně pohonu motoru vyžadující spínání s nízkými ztrátami
• Používá se se synchronním usměrňováním v měničích DC/DC
• Lze použít pro přepínání zátěže v napájecích lištách serveru
• Vhodné pro tepelně namáčené instalace do -55 °C

Jaké tepelné extrémy může během provozu tolerovat?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v prostředí s vysokou teplotou.

Jaký způsob montáže je vyžadován pro implementaci PCB?

Dodává se v pouzdru SuperSO8 5x6 pro povrchovou montáž pro automatizovanou montáž PCB.

Jak přímé napětí ovlivňuje nízkonapěťové návrhy?

Typické přímé napětí 1 V omezuje pokles napětí během vedení, což pomáhá efektivitě v nízkonapěťových systémech s vysokým proudem.

Je zařízení vhodné pro kvalifikační procesy v automobilovém průmyslu?

Není určen jako zařízení podle automobilového standardu a mělo by být odpovídajícím způsobem vyhodnoceno pro aplikace ve vozidlech.