AEC-Q101, řada: IPL MOSFET IPL65R130CFD7AUMA1 Typ N-kanálový 21 A 650 V Infineon, ThinPAK 8x8, počet kolíků: 5 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 240-6620
- Výrobní číslo:
- IPL65R130CFD7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
50,39 Kč
(bez DPH)
60,97 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. června 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 50,39 Kč |
| 10 - 24 | 47,92 Kč |
| 25 - 49 | 45,70 Kč |
| 50 - 99 | 43,97 Kč |
| 100 + | 40,51 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 240-6620
- Výrobní číslo:
- IPL65R130CFD7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | ThinPAK 8x8 | |
| Řada | IPL | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 95mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 171W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 8.1mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení ThinPAK 8x8 | ||
Řada IPL | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 95mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 171W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 8.1mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon 650V CoolMOS™ CFD7 super junction MOSFET je dodáván v pouzdru ThinPAK 8x8, které je ideální pro rezonanční topologie v průmyslových aplikacích, jako jsou servery, telekomunikace, solární a nabíjecí stanice EV, ve kterých umožňuje výrazné zlepšení efektivity ve srovnání s konkurencí. Jako nástupce řady MOSFET CFD2 SJ se dodává se sníženým poplatkem hradla, vylepšeným chováním při vypínání a sníženým poplatkem za zpětné zotavení, který umožňuje nejvyšší účinnost a hustotu výkonu a také dodatečné poruchové napětí 50 V.
Výrazně nižší ztráty při změně oproti konkurenci
Extra bezpečnostní rezerva pro návrhy se zvýšeným napětím sběrnice
Vyšší efektivita plného zatížení v průmyslových aplikacích SMPS
Vysoká hustota výkonu
Související odkazy
- AEC-Q101 ThinPAK 8x8, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 ThinPAK 8x8, počet kolíků: 5 kolíkový
- AEC-Q101 ThinPAK 8x8, počet kolíků: 5 kolíkový
- AEC-Q101 ThinPAK 8x8, počet kolíků: 5 kolíkový
- AEC-Q101 ThinPAK 8x8, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 ThinPAK 8x8, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 ThinPAK 8x8, počet kolíků: 5 kolíkový
- AEC-Q101 ThinPAK 8x8, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení