AEC-Q101, řada: STW MOSFET STW75N65DM6-4 Typ N-kanálový 55 A 30 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 240-0612
- Výrobní číslo:
- STW75N65DM6-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
321,59 Kč
(bez DPH)
389,12 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 22 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 321,59 Kč |
| 5 - 9 | 321,35 Kč |
| 10 - 14 | 321,10 Kč |
| 15 - 19 | 320,36 Kč |
| 20 + | 320,11 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 240-0612
- Výrobní číslo:
- STW75N65DM6-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | STW | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 480W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 40.92mm | |
| Výška | 5.1mm | |
| Normy/schválení | UL | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada STW | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 480W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 40.92mm | ||
Výška 5.1mm | ||
Normy/schválení UL | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou obnovu MDmesh DM6 ve srovnání s předchozí generací rychlé obnovy MDmesh kombinuje DM6 velmi nízké nabití (Qrr), Doba obnovy (trr) a vynikající zlepšení RDS (ON) na plochu s jedním z nejúčinnějších přepínání chování na trhu pro nejnáročnější high-efficiency bridge topologies a ZVS fáze-Shift převodníky.
Dioda tělesa pro rychlé obnovení
Nižší RDS (ON) na plochu oproti předchozí generaci
Nízké nabití hradla, vstupní kapacita a odpor
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Extrémně vysoká odolnost dv/dt
Ochrana Zenerovou diodou
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: STW MOSFET STW65N023M9-4 Typ N-kanálový 92 A STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: STW MOSFET STWA65N023M9 Typ N-kanálový 92 A STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STW MOSFET STWA60N043DM9 Typ N-kanálový 56 A STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 Hip-247, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 Hip-247-4, počet kolíků: 4