AEC-Q101, řada: STW MOSFET STW75N65DM6-4 Typ N-kanálový 55 A 30 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

303,56 Kč

(bez DPH)

367,31 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 22 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 26. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 4303,56 Kč
5 - 9303,32 Kč
10 - 14302,82 Kč
15 - 19302,33 Kč
20 +302,08 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
240-0612
Výrobní číslo:
STW75N65DM6-4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

55A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

TO-247

Řada

STW

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

45mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

480W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

118nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

5.1mm

Délka

40.92mm

Šířka

15.8 mm

Normy/schválení

UL

Automobilový standard

AEC-Q101

Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou obnovu MDmesh DM6 ve srovnání s předchozí generací rychlé obnovy MDmesh kombinuje DM6 velmi nízké nabití (Qrr), Doba obnovy (trr) a vynikající zlepšení RDS (ON) na plochu s jedním z nejúčinnějších přepínání chování na trhu pro nejnáročnější high-efficiency bridge topologies a ZVS fáze-Shift převodníky.

Dioda tělesa pro rychlé obnovení

Nižší RDS (ON) na plochu oproti předchozí generaci

Nízké nabití hradla, vstupní kapacita a odpor

100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti

Extrémně vysoká odolnost dv/dt

Ochrana Zenerovou diodou

Související odkazy