AEC-Q101 MOSFET SQS405CENW-T1_GE3 Typ P-kanálový 214 A 40 V Vishay, PowerPAK 1212–8 W., počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 239-8685
- Výrobní číslo:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
455,95 Kč
(bez DPH)
551,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 025 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 18,238 Kč | 455,95 Kč |
| 250 - 600 | 17,142 Kč | 428,55 Kč |
| 625 - 1225 | 15,492 Kč | 387,30 Kč |
| 1250 - 2475 | 14,583 Kč | 364,58 Kč |
| 2500 + | 13,684 Kč | 342,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 239-8685
- Výrobní číslo:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 214A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212–8 W. | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.02Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 197W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximální provozní teplota | 125°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.3mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 214A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení PowerPAK 1212–8 W. | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.02Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 197W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximální provozní teplota 125°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.3mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Vishay SQS je automobilový P-kanál MOSFET, který pracuje při teplotě 40 v a 175 °C. Tento MOSFET se používá pro vysokou hustotu výkonu.
Certifikát podle normy AEC-Q101
Testováno na UIS
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 214 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SQS140ENW-T1_GE3 Typ N-kanálový 214 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 214 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET SQS180ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 141 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SQS142ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 110 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET SQS141ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 101 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový