AEC-Q101 MOSFET SiDR626LEP-T1-RE3 Typ N-kanálový 218 A 100 V Vishay, Powerpak SO-8DC, počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

201,31 Kč

(bez DPH)

243,586 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 5 990 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 18100,655 Kč201,31 Kč
20 - 9894,60 Kč189,20 Kč
100 - 19885,46 Kč170,92 Kč
200 - 49880,645 Kč161,29 Kč
500 +75,58 Kč151,16 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
239-8617
Výrobní číslo:
SiDR626LEP-T1-RE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

218A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

Powerpak SO-8DC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.0021Ω

Režim kanálu

Vyčerpání

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

46.1nC

Maximální ztrátový výkon Pd

120W

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

125°C

Šířka

5.15 mm

Normy/schválení

No

Délka

6.15mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® je výkonový N-kanálový MOSFET Gen IV, který pracuje při teplotě 60 v a 175 °C. Tento MOSFET se používá pro solární mikroměnič, spínač motorového pohonu a synchronní rektifikaci.

Funkce horního chlazení nabízí dodatečnou plochu pro tepelný přenos

Velmi nízký odpor

Testováno na UIS

Související odkazy