AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 415 A 100 V Vishay, Powerpak SO-8DC, počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

106 920,00 Kč

(bez DPH)

129 360,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +35,64 Kč106 920,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
239-8614
Výrobní číslo:
SiDR220EP-T1-RE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

415A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

Powerpak SO-8DC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.00082Ω

Režim kanálu

Vyčerpání

Typický náboj brány Qg @ Vgs

46.1nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

120W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální provozní teplota

125°C

Normy/schválení

No

Šířka

5.15 mm

Délka

6.15mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® je výkonový N-kanálový MOSFET Gen IV, který pracuje při teplotě 25 v a 175 °C. Tento MOSFET se používá pro vysokou hustotu výkonu, synchronní snižovací měnič a spínání zátěže.

Funkce horního chlazení nabízí dodatečnou plochu pro tepelný přenos

Nízký provozní útlum

Testováno na UIS

Související odkazy