AEC-Q101, řada: STD MOSFET N-kanálový 55 A 650 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 239-6330P
- Výrobní číslo:
- STD86N3LH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 664,80 Kč
(bez DPH)
2 014,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 885 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 245 | 33,296 Kč |
| 250 - 495 | 25,392 Kč |
| 500 + | 22,526 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 239-6330P
- Výrobní číslo:
- STD86N3LH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | STD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.6mm | |
| Normy/schválení | UL | |
| Výška | 2.4mm | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada STD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.6mm | ||
Normy/schválení UL | ||
Výška 2.4mm | ||
Šířka 6.2mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics MOSFET zařízení je N-kanál napájení MOSFET vyvinutý pomocí STMicroelectronics’ STripFET H5 technologie. Toto zařízení bylo optimalizováno pro dosažení velmi nízkého odporu ve stavu.
Nízký odpor RDSon
Vysoká lavinová odolnost
Nízké ztráty výkonu pohonu zadní výklopné stěny
30 v Vdss
80 A ID