řada: TN5325 MOSFET Typ N-kanálový 10.3 A 650 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 239-5617
- Výrobní číslo:
- TN5325K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Mezisoučet (1 tác po 3000 kusech)*
45 438,00 Kč
(bez DPH)
54 981,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za kus* |
|---|---|---|
| 3000 + | 15,146 Kč | 45 438,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 239-5617
- Výrobní číslo:
- TN5325K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-92 | |
| Řada | TN5325 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.8V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-92 | ||
Řada TN5325 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.8V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Microchip TN5325 série low-threshold, vylepšení-mode (normálně-off) tranzistor využít vertikální DMOS strukturu a dobře osvědčený křemíkové brány výrobní proces. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení netrpí tepelným lavinovým jevem a sekundárními průrazy vyvolanými teplotou, což je charakteristické pro všechny struktury MOS.
Nízká prahová hodnota maximálně 2V
Vysoká vstupní impedance a vysoký zisk
Doba náběhu 15 ns
Doba zpoždění vypnutí 25 ns
Doba pádu 25 ns
Související odkazy
- řada: TN5325 MOSFET TN5325K1-G Typ N-kanálový 10.3 A 650 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 3 A Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET TP0606N3-G Typ N-kanálový 3 A Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 190 mA 240 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 175 mA 40 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 250 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 230 mA 60 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET VN2410L-G Typ N-kanálový 190 mA 240 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení