AEC-Q101, řada: SCT MOSFET SCTW60N120G2 N-kanálový 60 A 1.2 kV STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

17 351,01 Kč

(bez DPH)

20 994,72 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 240 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +578,367 Kč17 351,01 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
239-5529
Výrobní číslo:
SCTW60N120G2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

1.2kV

Typ balení

Hip-247

Řada

SCT

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

73mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

18V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

94nC

Maximální ztrátový výkon Pd

389W

Maximální provozní teplota

200°C

Délka

34.8mm

Výška

5mm

Normy/schválení

UL

Šířka

15.6mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Zařízení STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí technologie ST Advanced a inovativní technologie SIC MOSFET 2. Generace. Zařízení je vybaveno pozoruhodně nízkým odporem na jednotku a velmi dobrým spínacím výkonem. Změna spínacích ztrát je téměř nezávislá na teplotě spoje. Lze jej použít v režimu spínání napájení, DC-DC měniče a řízení průmyslových motorů.

Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa

Extrémně nízké nabití hradla a vstupní kapacita

Velmi vysoká provozní teplota křižovatky

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.