AEC-Q101, řada: SCT MOSFET Typ N-kanálový 60 A 1200 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

16 248,39 Kč

(bez DPH)

19 660,56 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 240 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +541,613 Kč16 248,39 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
239-5529
Výrobní číslo:
SCTW60N120G2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

Hip-247

Řada

SCT

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

73mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

94nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

389W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

18 V

Přímé napětí Vf

3V

Maximální provozní teplota

200°C

Výška

5mm

Normy/schválení

UL

Šířka

15.6 mm

Délka

34.8mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Zařízení STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí technologie ST Advanced a inovativní technologie SIC MOSFET 2. Generace. Zařízení je vybaveno pozoruhodně nízkým odporem na jednotku a velmi dobrým spínacím výkonem. Změna spínacích ztrát je téměř nezávislá na teplotě spoje. Lze jej použít v režimu spínání napájení, DC-DC měniče a řízení průmyslových motorů.

Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa

Extrémně nízké nabití hradla a vstupní kapacita

Velmi vysoká provozní teplota křižovatky

Související odkazy