AEC-Q101, řada: SCT MOSFET SCT040W120G3AG Typ N-kanálový 40 A 1200 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 215-234
- Výrobní číslo:
- SCT040W120G3AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
15 635,34 Kč
(bez DPH)
18 918,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 + | 521,178 Kč | 15 635,34 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-234
- Výrobní číslo:
- SCT040W120G3AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Řada | SCT | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 40mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 312W | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Řada SCT | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 40mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 56nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 312W | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Zařízení STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET bylo vyvinuto pomocí pokročilé a inovativní technologie SiC MOSFET 3. generace společnosti ST. Zařízení nabízí velmi nízkou hodnotu RDS(on) v celém teplotním rozsahu v kombinaci s nízkou kapacitou a velmi vysokými spínacími operacemi, které zlepšují výkon aplikace z hlediska frekvence, energetické účinnosti, velikosti systému a snížení hmotnosti.
Vysokorychlostní spínací výkony
Velmi rychlá a robustní dioda s vlastním tělem
Související odkazy
- AEC-Q101 Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 Hip-247, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 Hip-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 Hip-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 Hip-247-4, počet kolíků: 4