řada: E Výkonový MOSFET SIHK075N60E-T1-GE3 N-kanálový 29 A 600 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 239-5380
- Výrobní číslo:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*
170 134,00 Kč
(bez DPH)
205 862,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 2 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 + | 85,067 Kč | 170 134,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 239-5380
- Výrobní číslo:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 29A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | E | |
| Typ balení | PowerPAK 10 x 12 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.08Ω | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 29A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada E | ||
Typ balení PowerPAK 10 x 12 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.08Ω | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje vypouštění 600 V, nepřetržitý vypouštění proudu 29 A – SIHK075N60E-T1-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové N-kanálové polovodičové zařízení navržené pro spínání a převod výkonu v náročných elektronických systémech. Je vhodný pro aplikace pro povrchovou montáž, kde je vyžadováno kompaktní balení a robustní tepelný výkon, a je v souladu s environmentálními omezeními RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota 600 V umožňuje vysoké spínání napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 29 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 0.08 Ω zajišťuje nízké ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 167 W umožňuje efektivní tepelnou manipulaci
• Typický náboj hradla 41 nC umožňuje řízenou dynamiku spínání
• Tolerance hradla 30 V zajišťuje širokou marži hradlového pohonu
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 29 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 0.08 Ω zajišťuje nízké ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 167 W umožňuje efektivní tepelnou manipulaci
• Typický náboj hradla 41 nC umožňuje řízenou dynamiku spínání
• Tolerance hradla 30 V zajišťuje širokou marži hradlového pohonu
Aplikace
• Vhodné pro průmyslové měniče pohonu motoru
• Používá se s napájecími zdroji pro serverová a telekomunikační zařízení
• Ideální pro DC-DC měniče v systémech obnovitelné energie
• Lze použít pro vysokonapěťové spínací regulátory v přístrojích
• Vhodné pro ovladače osvětlení LED vyžadující vysokonapěťové spínače
• Používá se s napájecími zdroji pro serverová a telekomunikační zařízení
• Ideální pro DC-DC měniče v systémech obnovitelné energie
• Lze použít pro vysokonapěťové spínací regulátory v přístrojích
• Vhodné pro ovladače osvětlení LED vyžadující vysokonapěťové spínače
Jaký způsob montáže je vyžadován pro spolehlivé elektrické připojení?
Dodává se v nízkoprofilovém pouzdru PowerPAK 10x12 určeném pro povrchovou montáž na PCB pomocí pájecích podložek pro mechanický a tepelný kontakt.
Jak široký je rozsah provozních teplot pro náročné prostředí?
Zařízení je určeno pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v extrémních podmínkách okolí a zvýšených spojů.
Jaké úvahy o pohonu hradla je třeba dodržovat?
Maximální napětí zdroje hradla je 30 V, takže obvody pohonu hradla musí omezit Vgs v rámci tohoto limitu a zajistit dostatečný pohon pro dosažení specifikovaného náboje hradla přibližně 41 nC.
Jak pouzdro podporuje tepelný rozptyl?
Formát PowerPAK 10 x 12 nabízí tepelnou cestu skrz pouzdro k desce plošných spojů, což zařízení pomáhá řídit až 167 W rozptylu při odpovídající tepelné konstrukci desky.
Související odkazy
- řada: E Výkonový MOSFET SIHK075N60E-T1-GE3 N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: E Series MOSFET SIHK075N65E-T1-GE3 N-kanálový 29 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: E Series MOSFET SIHH075N65E-T1-GE3 N-kanálový 29 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: E MOSFET SIHH26N60E-T1-GE3 N-kanálový 25 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHR120N60E-T1-GE3 N-kanálový 32 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHR100N60E-T1-GE3 N-kanálový 38 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHM080N60E-T1-GE3 N-kanálový 51 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SiHH080N60E-T1-GE3 N-kanálový 32 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
