řada: CoolMOS MOSFET IPB65R090CFD7ATMA1 N-kanálový 25 A 700 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový P
- Skladové číslo RS:
- 236-3653
- Výrobní číslo:
- IPB65R090CFD7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
290,72 Kč
(bez DPH)
351,78 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 990 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 145,36 Kč | 290,72 Kč |
| 10 - 18 | 129,43 Kč | 258,86 Kč |
| 20 - 48 | 120,66 Kč | 241,32 Kč |
| 50 - 98 | 111,89 Kč | 223,78 Kč |
| 100 + | 103,245 Kč | 206,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 236-3653
- Výrobní číslo:
- IPB65R090CFD7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 90mΩ | |
| Režim kanálu | P | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 90mΩ | ||
Režim kanálu P | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS super junkční MOSFET s integrovanou diodou rychlého tělesa je ideální volbou pro rezonanční vysoce výkonné topologie. Je ideální pro průmyslové aplikace, jako jsou serverové, telekomunikační, solární a elektrické nabíjecí stanice, umožňuje významné zlepšení efektivity ve srovnání s konkurencí. Má vypouštěcí proud 25 A.
Vynikající odolnost při tvrdé komutaci
Extra bezpečnostní rezerva pro návrhy se zvýšeným napětím sběrnice
Aktivace vyšší hustoty výkonu
Vynikající účinnost při nízké zátěži v průmyslových aplikacích SMPS
Vyšší efektivita plného zatížení v průmyslových aplikacích SMPS
Cenová konkurenceschopnost ve srovnání s alternativními nabídkami na trhu
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET IPB65R090CFD7ATMA1 N-kanálový 25 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový P
- řada: CoolMOS MOSFET IPB65R125CFD7ATMA1 N-kanálový 19 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS MOSFET IPB65R110CFD7ATMA1 N-kanálový 22 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS MOSFET IPB65R041CFD7ATMA1 N-kanálový 50 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS MOSFET IPB65R155CFD7ATMA1 N-kanálový 15 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS MOSFET + Dioda IPB65R065C7ATMA2 N-kanálový 145 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS MOSFET + Dioda N-kanálový 145 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový P