řada: OptiMOS™ MOSFET BSC005N03LS5ATMA1 N-kanálový 433 A 30 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 236-3643
- Výrobní číslo:
- BSC005N03LS5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
537,97 Kč
(bez DPH)
650,94 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 925 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 107,594 Kč | 537,97 Kč |
| 50 - 120 | 96,972 Kč | 484,86 Kč |
| 125 - 245 | 90,50 Kč | 452,50 Kč |
| 250 - 495 | 83,93 Kč | 419,65 Kč |
| 500 + | 77,46 Kč | 387,30 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 236-3643
- Výrobní číslo:
- BSC005N03LS5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 433A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TDSON | |
| Řada | OptiMOS™ | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.5mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 188W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 59nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.35mm | |
| Délka | 5.49mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 433A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TDSON | ||
Řada OptiMOS™ | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.5mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 188W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 59nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.35mm | ||
Délka 5.49mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady OptiMOSTM, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 433 A – BSC005N03LS5ATMA1
Tento MOSFET je vysokoproudý N-kanálový tranzistor navržený pro spínání napájení pro povrchovou montáž v náročných tepelných prostředích. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu a je určen pro aplikace vyžadující nízké vodivé ztráty a značnou nepřetržitou kapacitu vypouštěcího proudu při montáži v pouzdru TDSON.
Charakteristiky a výhody:
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 433 A umožňuje spínání při vysokém proudu
• Nízká hodnota Rds(on) 5.5 mΩ snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Jmenovité napětí 30 V umožňuje stupeň napájení při středním napětí
• Rozptýlení výkonu 188 W podporuje manipulaci s vysokým výkonem
• Nabíjení hradla 59 nC umožňuje předvídatelné plánování energie hradla
• Maximální napětí hradla-zdroje ±20 V zajišťuje široký rozsah napájení
• Nízká hodnota Rds(on) 5.5 mΩ snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Jmenovité napětí 30 V umožňuje stupeň napájení při středním napětí
• Rozptýlení výkonu 188 W podporuje manipulaci s vysokým výkonem
• Nabíjení hradla 59 nC umožňuje předvídatelné plánování energie hradla
• Maximální napětí hradla-zdroje ±20 V zajišťuje široký rozsah napájení
Aplikace
• Vhodné pro vysokoproudé měniče a regulátory DC/DC
• Ideální pro napájecí kolejnice serverů a napájecí moduly pro telekomunikace
• Používá se se stupněmi pohonu motoru vyžadujícími vysoký nepřetržitý proud
• Lze použít pro správu baterií a rozvod napájení
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
• Ideální pro napájecí kolejnice serverů a napájecí moduly pro telekomunikace
• Používá se se stupněmi pohonu motoru vyžadujícími vysoký nepřetržitý proud
• Lze použít pro správu baterií a rozvod napájení
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
Jaké úvahy o balení ovlivňují řízení teploty?
Pouzdro TDSON pro povrchovou montáž nabízí nízkoprofilový půdorys a vyžaduje vhodnou měděnou plochu PCB nebo tepelné dráhy, aby účinně odvádělo svůj jmenovitý výkon 188 W v rámci tepelných omezení na úrovni desky.
Jak zařízení zvládá náročné okolní teploty?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v širokém rozsahu teplot bez zhoršení pro mnoho vysokoteplotních prostředí.
Jaké požadavky na pohon hradla je třeba dodržovat?
Obvody pohonu musí udržovat napětí hradla v rozsahu ±20 V a při velikosti špičkového proudu budiče a časování spínání zohledňovat celkový náboj hradla 59 nC.
Jak by konstruktéři měli plánovat ztráty při vedení a spínání?
Při výpočtu celkových rozpočtů teploty a účinnosti použijte hodnotu 5,5 mΩ Rds(on) k odhadu ztrát při vedení I^2R a při výpočtu celkových rozpočtů teploty a účinnosti použijte energii pro nabíjení hradla 59 nC.
Související odkazy
- řada: OptiMOS™ MOSFET BSC005N03LS5ATMA1 N-kanálový 433 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS™ MOSFET BSC005N03LS5IATMA1 N-kanálový 433 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS™ MOSFET BSC004NE2LS5ATMA1 N-kanálový 479 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS™ MOSFET BSC0901NSATMA1 N-kanálový 381 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 257 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET BSC014N06NSTATMA1 N-kanálový 257 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 60 V Infineon, TDSON
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 100 A 25 V Infineon, TDSON