MOSFET SSM3J356R,LF(T Typ P-kanálový 2 A 60 V Toshiba, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 236-3573
- Výrobní číslo:
- SSM3J356R,LF(T
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
222,80 Kč
(bez DPH)
269,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 1 650 jednotka(y) budou odesílané od 10. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,456 Kč | 222,80 Kč |
| 100 - 200 | 3,962 Kč | 198,10 Kč |
| 250 - 450 | 3,888 Kč | 194,40 Kč |
| 500 - 950 | 3,814 Kč | 190,70 Kč |
| 1000 + | 3,567 Kč | 178,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 236-3573
- Výrobní číslo:
- SSM3J356R,LF(T
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 400mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.4mm | |
| Výška | 0.8mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 400mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.4mm | ||
Výška 0.8mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor Toshiba Field Effect se skládá ze silikonového materiálu a má P kanál MOS typu. Používá se hlavně v aplikacích přepínání řízení spotřeby.
Rozsah skladovací teploty −55 až 150 °C.
Související odkazy
- MOSFET Typ P-kanálový 2 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET SSM3J328R SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET SSM3J338R SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET SSM3J334R SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SSM3J351R SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET Typ P-kanálový 6 A 20 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET SSM3K341R SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET SSM3K329R SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový