řada: ISP MOSFET ISP20EP10LMXTSA1 Typ P-kanálový 990 mA 100 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 235-4879
- Výrobní číslo:
- ISP20EP10LMXTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
45,70 Kč
(bez DPH)
55,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 4,57 Kč | 45,70 Kč |
| 100 - 240 | 4,323 Kč | 43,23 Kč |
| 250 - 490 | 4,15 Kč | 41,50 Kč |
| 500 - 990 | 3,977 Kč | 39,77 Kč |
| 1000 + | 3,705 Kč | 37,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 235-4879
- Výrobní číslo:
- ISP20EP10LMXTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 990mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | ISP | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 4.2W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 7.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 6.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 990mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada ISP | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 4.2W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 7.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 6.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET P-Channel Infineon OptMOS™ 100V v pouzdru SOT-223 představují novou technologii zaměřenou na řízení baterií, zatěžovací spínače a ochranu proti přepólování. Hlavní výhodou zařízení P-channel je snížení složitosti návrhu u aplikací se středním a nízkým výkonem. Díky snadnému rozhraní k mikrokontroléru, rychlému přepínání a lavinové robustnosti je vhodný pro vysoce kvalitní náročné aplikace. Je k dispozici v normální úrovni s širokým dosahem RDS (ON) a zvyšuje efektivitu při nízkých zatíženích díky nízké QG. Používá se ve správě baterií, průmyslové automatizaci.
Ideální pro vysokou a nízkou spínací frekvenci
Lavinová odolnost
Standardní balík pro povrchovou montáž
Robustní a spolehlivý výkon
Zvýšená bezpečnost dodávek
Související odkazy
- řada: ISP MOSFET ISP20EP10LMXTSA1 Typ P-kanálový 990 mA 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: ISP MOSFET ISP98DP10LMXTSA1 Typ P-kanálový 1.55 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: ISP MOSFET ISP14EP15LMXTSA1 Typ P-kanálový 1.29 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: ISP MOSFET ISP16DP10LMXTSA1 Typ P-kanálový 3.9 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení