MOSFET ISC022N10NM6ATMA1 N-kanálový 230 A 100 V, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8

Model ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 100 V s normální úrovní vytváří nový technologický standard v oblasti diskrétních výkonových tranzistorů MOSFET. Ve srovnání s alternativními produkty umožňuje přední technologie tenkých destiček společnosti Infineon výrazné zvýšení výkonu.
Průmyslový výkonový tranzistor MOSFET 100 V OptiMOSTM 6 od společnosti Infineon je navržen pro aplikace s vysokou spínací frekvencí, jako jsou napájení telekomunikací a serverů, ale také ideální volbou pro jiné aplikace, jako jsou solární energie, elektrické nástroje a drony.
V pouzdru SuperSO8 dosahuje o ∼20 % zlepšení odporu ve stavu zapnutí (RDS(on)) a o 30 % lepší hodnotu (FOM - RDS(on) x Qg a Qgd) ve srovnání s předchozí technologií OptiMOSTM 5. To umožňuje projektantům zvýšit efektivitu, což umožňuje snadnější tepelnou konstrukci a menší paralelizaci, což vede ke snížení nákladů na systém.

Ve srovnání s OptiMOSTM 5 dosahuje nová technologie:
•O ∼20 % nižší RDS(zapnuto)
•O 30 % lepší FOMg a o 40 % lepší FOMgd
•Nižší a měkčí reverzní náboj (Qrr)
•Ideální pro vysokou spínací frekvenci
•Klasifikace MSL 1 podle J-STD-020
•Jmenovitá teplota spojky 175 °C
•Vysoká jmenovitá lavinová energie
•Bezolovnaté povrchové pokovení
•Vyhovuje RoHS

•Nízké ztráty vodivosti
•Nízké spínací ztráty
•Rychlé zapínání a vypínání
•Vyžaduje méně paralelizace
•Robustní spolehlivý výkon
•Šetrné k životnímu prostředí
•Vyžaduje méně paralelizace