MOSFET SH8KC6TB1 Typ N-kanálový 6.5 A 60 V ROHM, SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 235-2812
- Výrobní číslo:
- SH8KC6TB1
- Výrobce:
- ROHM
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
188,46 Kč
(bez DPH)
228,04 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 18. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 18,846 Kč | 188,46 Kč |
| 50 - 90 | 18,50 Kč | 185,00 Kč |
| 100 - 240 | 14,672 Kč | 146,72 Kč |
| 250 - 990 | 14,351 Kč | 143,51 Kč |
| 1000 + | 10,078 Kč | 100,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 235-2812
- Výrobní číslo:
- SH8KC6TB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 32mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 4.05mm | |
| Šířka | 1.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 5.2mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 32mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 4.05mm | ||
Šířka 1.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 5.2mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET ROHM s nízkým odporem pro spínání. Tento výrobek obsahuje dva tranzistory MOSFET 60V v malém pouzdru pro povrchovou montáž.
Povrchová vrstva bez obsahu olova
Bez halogenů
Související odkazy
- MOSFET SH8KC6TB1 Typ N-kanálový 6.5 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SH8KC7TB1 Typ N-kanálový 10.5 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SH8KB7TB1 Typ N-kanálový 13.5 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SH8KB6TB1 Typ N-kanálový 8.5 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SH8JC5TB1 Typ P-kanálový 7.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET SH8MC5TB1 Typ N SOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení