AEC-Q101, řada: CoolSiC MOSFET AIMW120R080M1XKSA1 Typ N-kanálový 33 A 1200 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 233-3491
- Výrobní číslo:
- AIMW120R080M1XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
308,26 Kč
(bez DPH)
372,99 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 46 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 308,26 Kč |
| 5 - 9 | 292,94 Kč |
| 10 - 24 | 286,52 Kč |
| 25 - 49 | 268,00 Kč |
| 50 + | 249,47 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 233-3491
- Výrobní číslo:
- AIMW120R080M1XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 33A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Přímé napětí Vf | 5.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 5.3mm | |
| Šířka | 21.5 mm | |
| Délka | 16.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 33A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Přímé napětí Vf 5.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 5.3mm | ||
Šířka 21.5 mm | ||
Délka 16.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Tranzistory MOSFET Infineon CoolSiC pro automobilovou rodinu byly vyvinuty pro současné i budoucí použití palubní nabíječky a DC-DC v hybridních a elektrických vozidlech. Má vypouštěcí proud 33 A.
Zlepšení efektivity
Povolení vyšší frekvence
Zvýšená hustota výkonu
Snížení intenzity chlazení
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA120R030M1HXKSA1 Typ N-kanálový 70 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový