řada: STN3N MOSFET Typ N-kanálový 4 A 60 V STMicroelectronics, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 233-3092P
- Výrobní číslo:
- STN3NF06
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
175,86 Kč
(bez DPH)
212,79 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 38 575 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 95 | 17,586 Kč |
| 100 - 245 | 16,648 Kč |
| 250 - 495 | 15,808 Kč |
| 500 + | 15,068 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 233-3092P
- Výrobní číslo:
- STN3NF06
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | STN3N | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.3W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.6mm | |
| Délka | 6.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada STN3N | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.3W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.6mm | ||
Délka 6.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
STMicroelectronics Power MOSFET je nejnovější vývoj STMicroelectronics unikátní \"Single Feature Size™\" proces založený na pásu. Výsledný tranzistor ukazuje extrémně vysokou hustotu při balení pro nízkou odolnost, robustní lavinové charakteristiky a méně kritické kroky zarovnání, a proto pozoruhodnou výrobní reprodukovatelnost.
Výjimečná schopnost dv/dt
Lavinová odolná technologie
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti