řada: STB37N60 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 1200 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

2 499,60 Kč

(bez DPH)

3 024,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 879 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
10 - 99249,96 Kč
100 - 249236,87 Kč
250 - 499225,02 Kč
500 +213,90 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
233-3041P
Výrobní číslo:
STH12N120K5-2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

12A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

H2PAK

Řada

STB37N60

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

690mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

44.2nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

4.8mm

Délka

10.4mm

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET STMicroelectronics s velmi vysokým napětím N-channel jsou navrženy pomocí technologie MDmesh™ K5 založené na inovativní patentované vertikální struktuře. Výsledkem je výrazné snížení odporu a mimořádně nízké úrovně nabití u aplikací vyžadujících vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.

Celosvětově nejlepší FOM (hodnota zásluh)

Mimořádně nízké nabití hradla

100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti

Ochrana Zenerovou diodou

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.