řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 N-kanálový 59 A 650 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 232-0401
- Výrobní číslo:
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
388,28 Kč
(bez DPH)
469,82 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 240 jednotka(y) budou odesílané od 10. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 388,28 Kč |
| 5 - 9 | 368,52 Kč |
| 10 - 24 | 361,11 Kč |
| 25 - 49 | 337,90 Kč |
| 50 + | 314,43 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 232-0401
- Výrobní číslo:
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 59A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 34mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 59A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 34mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon má SIC MOSFET poskytující spolehlivý a nákladově efektivní výkon v pouzdru TO247 s 4 vývody. MOSFET CoolSiC s napětím 650 v nabízí jedinečnou kombinaci výkonu, spolehlivosti a snadného použití. Je vhodný pro provoz při vysokých teplotách a náročných provozních podmínkách a umožňuje zjednodušené a nákladově efektivní nasazení nejvyšší efektivity systému. MOSFET v pouzdru TO247 se 4 vývody snižuje nežádoucí účinky indukčnosti zdroje na obvod brány, což umožňuje rychlejší spínání a vyšší účinnost.
Nízké kapacity
Optimalizované přepínání při vyšších proudech
Vynikající spolehlivost oxidu hradítka
Vynikající tepelné chování
Zvýšená lavinová schopnost
Pracuje se standardním ovladačem
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET N-kanálový 59 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET N-kanálový 50 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET N-kanálový 26 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET N-kanálový 20 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET N-kanálový 26 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET N-kanálový 35 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET N-kanálový 24 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET N-kanálový 35 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení