řada: CoolSiC MOSFET Typ N-kanálový 24 A 650 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 232-0396
- Výrobní číslo:
- IMW65R083M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
2 391,96 Kč
(bez DPH)
2 894,28 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 90 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 79,732 Kč | 2 391,96 Kč |
| 60 - 120 | 75,747 Kč | 2 272,41 Kč |
| 150 + | 70,955 Kč | 2 128,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 232-0396
- Výrobní číslo:
- IMW65R083M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 24A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 111mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 111mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon má SIC MOSFET poskytující spolehlivý a nákladově efektivní výkon v pouzdru TO247 s 3 vývody. Technologie CoolSiC MOSFET využívá silné fyzikální vlastnosti karbidu křemíku a přidává jedinečné vlastnosti, které zvyšují výkon, robustnost a snadné použití zařízení. MOSFET 650V je postaven na nejmodernějším příkopu polovodiči, který je optimalizován tak, aby neumožňoval žádné kompromisy při získávání jak nejnižších ztrát v aplikaci, tak i nejvyšší spolehlivosti v provozu.
Nízké kapacity
Optimalizované přepínání při vyšších proudech
Vynikající spolehlivost oxidu hradítka
Vynikající tepelné chování
Zvýšená lavinová schopnost
Pracuje se standardními ovladači
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R083M1HXKSA1 Typ N-kanálový 24 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET Typ N-kanálový 39 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET Typ N-kanálový 47 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET Typ N-kanálový 58 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET Typ N-kanálový 46 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET Typ N-kanálový 20 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET Typ N-kanálový 26 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET Typ N-kanálový 35 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení