AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD50N08S413ATMA1 N-kanálový 50 A 80 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 75 kusů a ušetřete 4%

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 15 kusech)*

391,01 Kč

(bez DPH)

473,12 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 9 855 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
Úspora
15 - 6026,067 Kč391,01 Kč-
75 - 13524,766 Kč371,49 Kč4%
150 - 36023,745 Kč356,18 Kč8%
375 - 73522,658 Kč339,87 Kč13%
750 +21,11 Kč316,65 Kč19%

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
229-1833
Výrobní číslo:
IPD50N08S413ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

50A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

TO-252

Řada

IPD

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

13.2mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

19nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

72W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

6.5mm

Výška

2.3mm

Normy/schválení

No

Šířka

6.22mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Infineon n kanál MOSFET má 175 ° C provozní teplotu a 100 procent lavinové testovány.

Splňuje požadavky RoHS a certifikace AEC Q101

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.