AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD50N08S413ATMA1 Typ N-kanálový 50 A 80 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 229-1833
- Výrobní číslo:
- IPD50N08S413ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 15 kusech)*
293,445 Kč
(bez DPH)
355,065 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 9 855 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 19,563 Kč | 293,45 Kč |
| 75 - 135 | 18,591 Kč | 278,87 Kč |
| 150 - 360 | 17,817 Kč | 267,26 Kč |
| 375 - 735 | 17,01 Kč | 255,15 Kč |
| 750 + | 15,841 Kč | 237,62 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 229-1833
- Výrobní číslo:
- IPD50N08S413ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 72W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 6.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 72W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 6.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon n kanál MOSFET má 175 ° C provozní teplotu a 100 procent lavinové testovány.
Splňuje požadavky RoHS a certifikace AEC Q101
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 PG-TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 129 A 80 V Infineon, TO-252 P
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 98 A 80 V Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET IPD055N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 98 A 80 V Infineon, TO-252 N
