AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 95 A 80 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-3031P
- Výrobní číslo:
- STL105N8F7AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 500 kusů a ušetřete 169,50 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 100 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
2 774,10 Kč
(bez DPH)
3 356,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 980 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 100 - 490 | 27,741 Kč | - |
| 500 - 990 | 27,402 Kč | 169,50 Kč |
| 1000 - 2990 | 27,072 Kč | 669,00 Kč |
| 3000 + | 26,75 Kč | 2 973,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-3031P
- Výrobní číslo:
- STL105N8F7AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 95A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 46nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 127W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 95A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 127W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány, která má za následek velmi nízkou on-state odpor, a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a nabíjení brány pro rychlejší a efektivnější přepínání.
Mezi nejnižší RDS (ON) na trhu
Vynikající FOM (hodnota zásluh)
Nízký poměr CRSs/CISS pro odolnost proti elektromagnetickému rušení
Vysoká lavinová odolnost