AEC-Q101 MOSFET STL105N8F7AG Typ N-kanálový 95 A 80 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-3031
- Výrobní číslo:
- STL105N8F7AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
334,34 Kč
(bez DPH)
404,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 980 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 33,434 Kč | 334,34 Kč |
| 100 - 490 | 27,741 Kč | 277,41 Kč |
| 500 - 990 | 27,402 Kč | 274,02 Kč |
| 1000 - 2990 | 27,072 Kč | 270,72 Kč |
| 3000 + | 26,75 Kč | 267,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-3031
- Výrobní číslo:
- STL105N8F7AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 95A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 127W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 95A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 127W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány, která má za následek velmi nízkou on-state odpor, a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a nabíjení brány pro rychlejší a efektivnější přepínání.
Mezi nejnižší RDS (ON) na trhu
Vynikající FOM (hodnota zásluh)
Nízký poměr CRSs/CISS pro odolnost proti elektromagnetickému rušení
Vysoká lavinová odolnost
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 95 A 80 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 125 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 15 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 25 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 5.5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STL120N10F8 Typ N-kanálový 125 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STL26N60DM6 Typ N-kanálový 15 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení