řada: TrenchFET MOSFET SiZ254DT-T1-GE3 N-kanálový 32.5 A 70 V, PowerPAIR 3 x 3S, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- Skladové číslo RS:
- 228-2935
- Výrobní číslo:
- SiZ254DT-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
142,03 Kč
(bez DPH)
171,86 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 14,203 Kč | 142,03 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2935
- Výrobní číslo:
- SiZ254DT-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 32.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 70V | |
| Typ balení | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0161Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 33W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 32.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 70V | ||
Typ balení PowerPAIR 3 x 3S | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0161Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 33W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Duální N-kanál Vishay 70 v (D-s) MOSFET.
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SiZ254DT-T1-GE3 N-kanálový 32.5 A 70 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SiZ340BDT-T1-GE3 N-kanálový 69.3 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SIZ256DT-T1-GE3 N-kanálový 31.8 A 70 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiZ240DT-T1-GE3 N-kanálový 48 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: SIZ260DT MOSFET SIZ260DT-T1-GE3 N-kanálový 8.9 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiZ270DT MOSFET SIZ270DT-T1-GE3 N-kanálový 19.1 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SiZF906BDT-T1-GE3 N-kanálový 257 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SiZF928DT-T1-GE3 N-kanálový 258 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay