řada: E MOSFET SiHS90N65E-GE3 N-kanálový 85 A 700 V, Super-247 Vishay, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-2885
- Výrobní číslo:
- SiHS90N65E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
407,30 Kč
(bez DPH)
492,83 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 407,30 Kč |
| 5 - 9 | 395,20 Kč |
| 10 - 24 | 374,70 Kč |
| 25 - 49 | 358,40 Kč |
| 50 + | 337,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2885
- Výrobní číslo:
- SiHS90N65E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 85A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Typ balení | Super-247 | |
| Řada | E | |
| Typ montáže | Průchozí otvor, Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 29mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 625W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 394nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 85A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Typ balení Super-247 | ||
Řada E | ||
Typ montáže Průchozí otvor, Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 29mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 625W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 394nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET řady E společnosti Vishay snižuje ztráty při spínání a vedení.
Nízká hodnota zásluh (FOM) Ron x Qg
Nízká efektivní kapacita (Co(er))
Související odkazy
- řada: E MOSFET SiHS90N65E-GE3 N-kanálový 85 A 700 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SIHFPS40N60K-GE3 N-kanálový 40 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SiHFPS40N50L-GE3 N-kanálový 46 A 500 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: D Series MOSFET SiHS36N50D-GE3 N-kanálový 36 A 550 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG21N80AEF-GE3 N-kanálový 16.3 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG30N60E-GE3 N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG47N60E-GE3 N-kanálový 47 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHG11N80AE-GE3 N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení