řada: E MOSFET SIHP21N80AEF-GE3 Typ N-kanálový 165.3 A 850 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

453,25 Kč

(bez DPH)

548,45 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 375 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4590,65 Kč453,25 Kč
50 - 12081,608 Kč408,04 Kč
125 - 24577,064 Kč385,32 Kč
250 - 49566,196 Kč330,98 Kč
500 +57,156 Kč285,78 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
228-2879
Výrobní číslo:
SIHP21N80AEF-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

165.3A

Maximální napětí na zdroji Vds

850V

Řada

E

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

250mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

179W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

47nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonový MOSFET řady Vishay E redukuje ztráty při spínání a vedení.

Nízký parametr Ron x Qg (FOM)

Nízká efektivní kapacita (co(er))

Související odkazy