řada: RQ7G080AT MOSFET RQ7G080ATTCR Typ P-kanálový 8 A 40 V ROHM, TSMT, počet kolíků: 8 kolíkový P
- Skladové číslo RS:
- 223-6376
- Výrobní číslo:
- RQ7G080ATTCR
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
157,83 Kč
(bez DPH)
190,97 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 15,783 Kč | 157,83 Kč |
| 50 - 90 | 15,438 Kč | 154,38 Kč |
| 100 - 240 | 11,683 Kč | 116,83 Kč |
| 250 - 990 | 11,461 Kč | 114,61 Kč |
| 1000 + | 9,287 Kč | 92,87 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 223-6376
- Výrobní číslo:
- RQ7G080ATTCR
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TSMT | |
| Řada | RQ7G080AT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 18mΩ | |
| Režim kanálu | P | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TSMT | ||
Řada RQ7G080AT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 18mΩ | ||
Režim kanálu P | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
The ROHM power MOSFET has TSMT8 package type. It is mainly used for switching.
Low on - resistance
Small surface mount package
Pb-free plating, RoHS compliant
Související odkazy
- řada: RQ7G080AT MOSFET RQ7G080ATTCR Typ P-kanálový 8 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový P
- řada: RQ7L050AT MOSFET RQ7L050ATTCR Typ P-kanálový 5 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový P
- MOSFET RQ6G050ATTCR Typ P-kanálový 5 A 40 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RQ6L035AT MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 60 V ROHM počet kolíků: 6 kolíkový P
- AEC-Q101 TSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení