řada: IPB60R MOSFET IPB60R099C7ATMA1 Typ N-kanálový 22 A 600 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4893
- Výrobní číslo:
- IPB60R099C7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
235,64 Kč
(bez DPH)
285,12 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 040 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 117,82 Kč | 235,64 Kč |
| 10 - 18 | 97,935 Kč | 195,87 Kč |
| 20 - 48 | 91,76 Kč | 183,52 Kč |
| 50 - 98 | 85,955 Kč | 171,91 Kč |
| 100 + | 78,795 Kč | 157,59 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4893
- Výrobní číslo:
- IPB60R099C7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 22A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | IPB60R | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 99mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 22A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada IPB60R | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 99mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Superjunction (SJ) MOSFET řady Infineon 600V CoolMOS™ C7 nabízí ve srovnání s CoolMOS™ CP přibližně 50% snížení ztrát při vypínání (E OSS) a nabízí vynikající úroveň výkonu v PFC, TTF a dalších topologiích s tvrdým přepínáním. Model IPL60R185C7 je také ideální volbou pro vysoce výkonné nabíječky.
Snížené parametry ztráty při spínání, např. Q G, C oss, E oss
Nejlepší parametry Q G*R DS(on) ve své třídě
Zvýšená frekvence spínání
Nejlepší hodnota R (on)*A na světě
Odolná dioda
Související odkazy
- řada: IPB60R MOSFET Typ N-kanálový 22 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPB60R MOSFET Typ N-kanálový 25 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPB60R MOSFET IPB60R090CFD7ATMA1 Typ N-kanálový 25 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPB65R MOSFET Typ N-kanálový 18 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 11.4 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 37 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPA60R MOSFET Typ N-kanálový 38 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPB65R310CFDAATMA1 Typ N-kanálový 11.4 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení