řada: IMZ1 MOSFET IMZ120R350M1HXKSA1 Typ N-kanálový 4.7 A 1200 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4873
- Výrobní číslo:
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
222,79 Kč
(bez DPH)
269,576 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 118 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 111,395 Kč | 222,79 Kč |
| 10 - 18 | 101,395 Kč | 202,79 Kč |
| 20 - 48 | 94,725 Kč | 189,45 Kč |
| 50 - 98 | 88,055 Kč | 176,11 Kč |
| 100 + | 81,385 Kč | 162,77 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4873
- Výrobní číslo:
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | IMZ1 | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 350mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada IMZ1 | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 350mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolSiC™ 1200 v, 350 mΩ SIC MOSFET v pouzdru TO247-4 staví na nejmodernějším procesu příkopu polovodičů optimalizovaném pro kombinaci výkonu a spolehlivosti. Ve srovnání s tradičními spínači na bázi křemíku (si), jako jsou IGBT a MOSFET, nabízí MOSFET řadu výhod. Patří mezi ně nejnižší úrovně nabití hradla a kapacity zařízení pozorované ve spínačích 1200 v, žádné ztráty zpětného zotavení interní diody těla odolné vůči komutaci, teplotně nezávislé nízké ztráty spínání a bezprahové vlastnosti ve stavu.
Nejlepší ve třídě přepínání a vedení ztráty
Referenční hodnota vysokého prahu napětí, Vth > 4 V.
0V napětí na vypínači hradla pro snadné a jednoduché ovládání hradla
Široký rozsah napětí hradla
Robustní a nízkoztrátová tělní dioda určená pro tvrdou komutaci
Ztráty při vypínání nezávislé na teplotě
Pin zdroje ovladače pro optimalizovaný spínací výkon
Související odkazy
- řada: IMZ1 MOSFET Typ N-kanálový 4.7 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZ1 MOSFET Typ N-kanálový 52 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZ1 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZ1 MOSFET Typ N-kanálový 26 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZ1 MOSFET Typ N-kanálový 56 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZ1 MOSFET Typ N-kanálový 19 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZ1 MOSFET IMZ120R045M1XKSA1 Typ N-kanálový 52 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZ1 MOSFET IMZ120R220M1HXKSA1 Typ N-kanálový 13 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení