řada: DMT MOSFET DMT64M8LCG-7 N-kanálový 16.1 A 60 V DiodesZetex, VDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-2881
- Výrobní číslo:
- DMT64M8LCG-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
217,27 Kč
(bez DPH)
262,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 360 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 21,727 Kč | 217,27 Kč |
| 50 - 90 | 21,242 Kč | 212,42 Kč |
| 100 - 240 | 16,623 Kč | 166,23 Kč |
| 250 - 990 | 15,363 Kč | 153,63 Kč |
| 1000 + | 14,968 Kč | 149,68 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-2881
- Výrobní číslo:
- DMT64M8LCG-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 16.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | DMT | |
| Typ balení | VDFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.16W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 0.8mm | |
| Výška | 3.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 16.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada DMT | ||
Typ balení VDFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.16W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 0.8mm | ||
Výška 3.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET s režimem zesílení N-kanálu DiodesZetex je navržen tak, aby minimalizoval RDS (ON) a přitom udržoval vynikající spínací výkon. Toto zařízení je ideální pro použití v režimu řízení spotřeby baterie notebooku a spínači zátěže.
Vysoká účinnost konverze
Nízká RDS (ZAPNUTO) – minimalizuje státní ztráty
Nízká vstupní kapacita
Vysoká spínací rychlost
ESD chráněné hradlo
Související odkazy
- řada: DMT MOSFET Typ N-kanálový 16.1 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: DMT MOSFET DMT6007LFG-7 Typ N-kanálový 80 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: DMT MOSFET DMT6030LFCL-7 Typ N-kanálový 6.5 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: DMT MOSFET DMT6015LFVW-7 Typ N-kanálový 31.8 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: DMT MOSFET Typ N-kanálový 75 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DMT MOSFET DMT69M5LH3 Typ N-kanálový 75 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DMT MOSFET Typ N-kanálový 68.8 A 100 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: DMT MOSFET Typ N-kanálový 80 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení