řada: NVTFS MOSFET NVTFS4C02NTAG N-kanálový 28.3 A 30 V onsemi, WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 221-6760
- Výrobní číslo:
- NVTFS4C02NTAG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (10 jednotky/-ek, v balení po 10 ks)*
414,96 Kč
(bez DPH)
502,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 430 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 41,496 Kč | 414,96 Kč |
| 100 - 240 | 35,766 Kč | 357,66 Kč |
| 250 + | 31,023 Kč | 310,23 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 221-6760
- Výrobní číslo:
- NVTFS4C02NTAG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 28.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | NVTFS | |
| Typ balení | WDFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 107W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 3.15mm | |
| Šířka | 800μm | |
| Délka | 3.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 28.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada NVTFS | ||
Typ balení WDFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 107W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 3.15mm | ||
Šířka 800μm | ||
Délka 3.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
VÝKONOVÝ MOSFET ON Semiconductor Automotive v balení s plochým kabelem 3x3mm, určený pro kompaktní a efektivní provedení a zahrnující vysoký tepelný výkon. Možnost mokřadného hřbetu je k dispozici pro vylepšenou optickou kontrolu. Používá AEC-Q101 kvalifikovaný MOSFET a PPAP vhodný pro automobilové aplikace.
Nízká RDS (ON) pro minimalizaci ztrát vedení
Nízká kapacita pro minimalizaci ztrát řidiče
Související odkazy
- řada: NVTFS MOSFET N-kanálový 28.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTTFS4C02N MOSFET N-kanálový 29 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTTFS6H850N MOSFET N-kanálový 68 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 35 A 150 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 16 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 122 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: UltraFET MOSFET N-kanálový 14 A 250 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 80 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení