řada: NTMT110N MOSFET Typ N-kanálový 30 A 650 V onsemi, PQFN, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 221-6735
- Výrobní číslo:
- NTMT110N65S3HF
- Výrobce:
- onsemi
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 221-6735
- Výrobní číslo:
- NTMT110N65S3HF
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | NTMT110N | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 110mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 62nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 240W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 8.1mm | |
| Délka | 8.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada NTMT110N | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 110mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 62nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 240W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 8.1mm | ||
Délka 8.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET má vysokonapěťovou super-junkovou (SJ) rodinu MOSFET, která využívá technologii vyrovnávání zatížení pro vynikající nízký odpor a nižší výkon nabíjení hradla. Tato technologie Advanced je navržena tak, aby minimalizovala ztráty vedení, poskytuje vynikající spínací výkon a vydržela extrémní rychlost dv/dt.
Mimořádně nízké nabití hradla
Nízká efektivní výstupní kapacita 522 pF
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Související odkazy
- řada: NTMT110N MOSFET NTMT110N65S3HF Typ N-kanálový 30 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: FCMT MOSFET Typ N-kanálový 10 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMT090N MOSFET Typ N-kanálový 36 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMT150N MOSFET Typ N-kanálový 24 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMT190N MOSFET Typ N-kanálový 20 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: FCMT MOSFET Typ N-kanálový 24 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: FCMT MOSFET FCMT360N65S3 Typ N-kanálový 10 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMT090N MOSFET NTMT090N65S3HF Typ N-kanálový 36 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení