řada: NTHL067N MOSFET NTHL067N65S3H N-kanálový 40 A 650 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 221-6714
- Výrobní číslo:
- NTHL067N65S3H
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
317,40 Kč
(bez DPH)
384,06 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Omezený stav zásob
- Plus 284 jednotka(y) budou odesílané od 02. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 158,70 Kč | 317,40 Kč |
| 20 - 198 | 136,96 Kč | 273,92 Kč |
| 200 + | 118,685 Kč | 237,37 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 221-6714
- Výrobní číslo:
- NTHL067N65S3H
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | NTHL067N | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 67mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 266W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.82mm | |
| Délka | 15.87mm | |
| Šířka | 4.8mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada NTHL067N | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 67mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 266W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.82mm | ||
Délka 15.87mm | ||
Šířka 4.8mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET má vysokonapěťovou super-junkovou (SJ) rodinu MOSFET, která využívá technologii vyrovnávání zatížení pro vynikající nízký odpor a nižší výkon nabíjení hradla. Tato technologie Advanced je navržena tak, aby minimalizovala ztráty vedení, poskytuje vynikající spínací výkon a vydržela extrémní rychlost dv/dt.
Mimořádně nízké nabití hradla
Nízká efektivní výstupní kapacita 691 pF
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Související odkazy
- řada: NTHL067N MOSFET N-kanálový 40 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET N-kanálový 40 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET N-kanálový 30 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET N-kanálový 65 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL095N MOSFET N-kanálový 30 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL125N MOSFET N-kanálový 24 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET N-kanálový 75 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET N-kanálový 46 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení