řada: NTBL050N65S MOSFET NTBL050N65S3H N-kanálový 49 A 650 V onsemi, H-PSOF, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 221-6706
- Výrobní číslo:
- NTBL050N65S3H
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
533,03 Kč
(bez DPH)
644,97 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- Plus 1 940 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 266,515 Kč | 533,03 Kč |
| 20 - 198 | 229,71 Kč | 459,42 Kč |
| 200 + | 199,205 Kč | 398,41 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 221-6706
- Výrobní číslo:
- NTBL050N65S3H
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 49A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | H-PSOF | |
| Řada | NTBL050N65S | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 50mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 98nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 305W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 11.47mm | |
| Délka | 10.8mm | |
| Šířka | 2.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 49A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení H-PSOF | ||
Řada NTBL050N65S | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 50mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 98nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 305W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 11.47mm | ||
Délka 10.8mm | ||
Šířka 2.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET má vysokonapěťovou super-junkovou (SJ) rodinu MOSFET, která využívá technologii vyrovnávání zatížení pro vynikající nízký odpor a nižší výkon nabíjení hradla. Tato technologie Advanced je navržena tak, aby minimalizovala ztráty vedení, poskytuje vynikající spínací výkon a vydržela extrémní rychlost dv/dt.
Mimořádně nízké nabití hradla
Nízká efektivní výstupní kapacita 909 pF
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Související odkazy
- řada: NTBL050N65S MOSFET N-kanálový 49 A 650 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTBLS0D7N06C MOSFET NTBLS0D7N06C N-kanálový 470 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTBLS0D7N06C MOSFET Typ N-kanálový 470 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 H-PSOF, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 H-PSOF, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NVBLS1D7N08H N-kanálový 241.3 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový N
- MOSFET Typ N-kanálový 241.3 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: CoolSiC MOSFET IMBG65R040M2HXTMA1 N-kanálový 49 A 650 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení