AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET + Dioda Typ P-kanálový 90 A 30 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 220-7415
- Výrobní číslo:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
37 347,50 Kč
(bez DPH)
45 190,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 14,939 Kč | 37 347,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7415
- Výrobní číslo:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 90A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 137W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Výška | 2.41mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 137W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.22mm | ||
Výška 2.41mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon nabízí široké portfolio P-kanálových výkonových tranzistorů MOSFET v baleních DPAK, D2PAK, TO220, TO262 a SO8 s technologií OptiMOS -P2 a Gen5.
P-kanál – Logická úroveň – Režim rozlišení
Pro pohon na vysoké straně není nutné plnicí čerpadlo.
Řídicí obvod jednoduchého rozhraní
Nejnižší RDSon na světě při 40 V.
Pro nejvyšší hodnoty proudu
Nejnižší ztráty výkonu ve spínání a vedení umožňující nejvyšší teplotní účinnost
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 70 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS P MOSFET IPD042P03L3GATMA1 Typ P-kanálový 70 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení