AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET + Dioda IPD90P03P4L04ATMA2 Typ P-kanálový 90 A 30 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3

Skladové číslo RS:: 220-7415
Výrobní číslo:: IPD90P03P4L04ATMA2
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET + Dioda IPD90P03P4L04ATMA2 Typ P-kanálový 90 A 30 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

37 347,50 Kč

(bez DPH)

45 190,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	14,939 Kč	37 347,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 220-7415
Výrobní číslo:: IPD90P03P4L04ATMA2
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET + Dioda
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	90A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	TO-252
	Řada	OptiMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	4.1mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	5V
	Přímé napětí Vf	-1.3V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	125nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	137W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Výška	2.41mm
	Délka	6.73mm
	Šířka	6.22mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET + Dioda
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení TO-252
	Řada OptiMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 4.1mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 5V
	Přímé napětí Vf -1.3V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 125nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 137W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Výška 2.41mm
	Délka 6.73mm
	Šířka 6.22mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD90P03P4L04ATMA2

MOSFET a dioda Infineon řady OptiMOS, maximální zdroje vypouštěcího napětí 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 90 A – IPD90P03P4L04ATMA2

Tento MOSFET a dioda je napájecí zařízení pro povrchovou montáž určené pro vysokoproudé spínání v automobilovém průmyslu a prostředí pro převod výkonu. Integruje diodu tělesa a pracuje jako tranzistor s P-kanálem s režimem zesílení, což nabízí vhodnost pro systémy, které vyžadují nízký odpor při zapnutí a robustní tepelnou odolnost v rozšířeném teplotním rozsahu.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý vypouštěcí proud 30 V umožňuje nízkonapěťové konstrukce napájecích stupňů
• Rds(on) 4.1 mΩ snižuje ztráty při vedení při vysokém proudu
• Kapacita nepřetržitého vypouštění 90 A podporuje aplikace s vysokým proudem
• Rozptýlení výkonu 137 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 125 nC zajišťuje předvídatelné spínání

Aplikace

• Vhodné pro výkonové stupně měničů DC/DC v automobilovém průmyslu
• Ideální pro vysokoproudé synchronní usměrňovací obvody
• Používá se s nízkonapěťovými napájecími lištami s pohonem motoru
• Lze použít pro správu baterií a rozvod napájení

Jaké pouzdro a typ montáže používá?

Dodává se v pouzdru TO-252 a je určen pro povrchovou montáž.

Jak se chová při extrémních teplotách?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C pro široké teplotní využití.

Jaký je limit napětí hradla a důsledky spínání?

Maximální napětí zdroje hradla je 5 V, což definuje povolenou amplitudu pohonu hradla a ovlivňuje spínací rozpětí.

Jaká je charakteristika přímého napětí integrované diody?

Dioda těla má přímé napětí -1,3 V měřené za specifikovaných podmínek.