řada: OptiMOS 5 MOSFET + Dioda IPB083N15N5LFATMA1 Typ N-kanálový 105 A 150 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 220-7385
- Výrobní číslo:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
297,64 Kč
(bez DPH)
360,14 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 148,82 Kč | 297,64 Kč |
| 20 - 48 | 132,515 Kč | 265,03 Kč |
| 50 - 98 | 123,625 Kč | 247,25 Kč |
| 100 - 198 | 116,09 Kč | 232,18 Kč |
| 200 + | 106,95 Kč | 213,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7385
- Výrobní číslo:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 105A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 105A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Lineární FET Infineon OptiMOS je revoluční přístup, aby se zabránilo kompromis mezi on-state odpor (R DS (on)) a lineární režim schopnosti – provoz v oblasti nasycení zdokonaleného režimu MOSFET. Nabízí nejmodernější R DS (ON) příkopu MOSFET spolu s širokou bezpečnou provozní plochou klasického rovinného MOSFET.
Kombinace nízkého R DS (ON) a širokého bezpečného pracovního prostoru (SOA)
Vysoký max. Pulzní proud
Vysoký nepřetržitý pulzní proud
Robustní provoz v lineárním režimu
Nízké ztráty vedení
Vyšší nárazový proud je aktivován pro rychlejší spouštění a kratší spouštění čas
Související odkazy
- řada: OptiMOS 5 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 105 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET + Dioda IPB70N12S311ATMA1 Typ N-kanálový 70 A 120 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 70 A 120 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 130 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 100 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 174 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový N
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 5 MOSFET Typ N-kanálový 114 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N