řada: OptiMOS MOSFET + Dioda BSC13DN30NSFDATMA1 N-kanálový 16 A 300 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

392,24 Kč

(bez DPH)

474,61 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2078,448 Kč392,24 Kč
25 - 4565,85 Kč329,25 Kč
50 - 12061,948 Kč309,74 Kč
125 - 24557,254 Kč286,27 Kč
250 +53,352 Kč266,76 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
220-7357
Výrobní číslo:
BSC13DN30NSFDATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET + Dioda

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

16A

Maximální napětí na zdroji Vds

300V

Typ balení

TDSON

Řada

OptiMOS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

130mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

23nC

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Šířka

6.1mm

Výška

1.2mm

Délka

5.35mm

Automobilový standard

Ne

Rychlá dioda Infineon OptiMOS (FD) 200V, 250V a 300V je optimalizována pro tvrdou komutaci tělních diod. Tato zařízení jsou ideální volbou pro aplikace s tvrdým přepínáním, jako jsou telekomunikace, průmyslové zdroje napájení, zvukové zesilovače třídy D, řízení motoru a měnič DC-AC.

Vylepšená odolnost při tvrdé komutaci

Optimalizované chování při tvrdém přepínání

Nejnižší R ds (ON) v oboru, Q g a Q rr

Vyhovuje směrnici RoHS – neobsahuje halogeny

Nejvyšší spolehlivost systému

Snížení nákladů na systém

Nejvyšší účinnost a hustota výkonu

Snadná konstrukce produktů

Související odkazy