řada: SCTH70N MOSFET SCTH70N120G2V-7 90 A 1.2 kV, H2PAK-7, počet kolíků: 7 kolíkový STMicroelectronics 1
- Skladové číslo RS:
- 219-4224P
- Výrobní číslo:
- SCTH70N120G2V-7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 219-4224P
- Výrobní číslo:
- SCTH70N120G2V-7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Řada | SCTH70N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 90 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 1.2 kV | |
| Typ balení | H2PAK-7 | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 0.21 Ω | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Řada SCTH70N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 90 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 1.2 kV | ||
Typ balení H2PAK-7 | ||
Počet kolíků 7 | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 0.21 Ω | ||
Typ montáže Povrch | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances