řada: HEXFET MOSFET IRFS3307ZTRRPBF Typ N-kanálový 128 A 75 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 218-3118
- Výrobní číslo:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
410,22 Kč
(bez DPH)
496,37 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 370 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 41,022 Kč | 410,22 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3118
- Výrobní číslo:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 128A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.8mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 230W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.65mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 128A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.8mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 230W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 110nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.65mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon HEXFET série single N-kanál napájení MOSFET integrovaný s D2PAK (TO-263) typ balíčku.
Plně charakterizované kapacity a Avalanche SOA
Vylepšená funkce tělové diody DV/dt a di/dt
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 128 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 128 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFS3307ZTRLPBF Typ N-kanálový 128 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET IRF2807ZSTRLPBF Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 82 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 260 A 75 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový