řada: HEXFET MOSFET IRFR825TRPBF Typ N-kanálový 6 A 500 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 218-3116
- Výrobní číslo:
- IRFR825TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 15 kusech)*
677,775 Kč
(bez DPH)
820,11 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 02. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 45,185 Kč | 677,78 Kč |
| 75 - 135 | 42,912 Kč | 643,68 Kč |
| 150 - 360 | 41,101 Kč | 616,52 Kč |
| 375 - 735 | 39,323 Kč | 589,85 Kč |
| 750 + | 36,573 Kč | 548,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3116
- Výrobní číslo:
- IRFR825TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.3Ω | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 34nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 119W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.65mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.3Ω | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 119W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.65mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon HEXFET série single N-kanál napájení MOSFET integrovaný s DPAK (TO-252) typ balení. Tento MOSFET se používá hlavně v UPS, SMPS atd.
Nižší úroveň nabití zadní výklopné stěny vede ke zjednodušení požadavků na pohon.
Vyšší prahová hodnota napětí hradla poskytuje zvýšenou odolnost proti hluku.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 6 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 119 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 93 A 20 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 23 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 27 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 62 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový