řada: 700V CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 4 A 700 V Infineon, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 218-3079
- Výrobní číslo:
- IPSA70R2K0CEAKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 75 kusech)*
404,62 Kč
(bez DPH)
489,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 27. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 5,395 Kč | 404,63 Kč |
| 150 - 300 | 5,124 Kč | 384,30 Kč |
| 375 - 675 | 4,907 Kč | 368,03 Kč |
| 750 - 1800 | 4,686 Kč | 351,45 Kč |
| 1875 + | 4,37 Kč | 327,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3079
- Výrobní číslo:
- IPSA70R2K0CEAKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Řada | 700V CoolMOS CE | |
| Typ balení | IPAK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2Ω | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 42W | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 2.38mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Výška | 6.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Řada 700V CoolMOS CE | ||
Typ balení IPAK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2Ω | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 42W | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 2.38mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Výška 6.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 700V CoolMOS™ řada N-kanálový výkonový MOSFET. Tato řada poskytuje všechny výhody rychlého přepínání Superjunction MOSFET, aniž by obětoval snadné použití a.
nabízí nejlepší poměr nákladů a výkonu dostupný na trhu.
Velmi vysoká odolnost při komutaci
Snadné použití/jízda
Pokovování bez obsahu olova, směs nehalogenových forem
Související odkazy
- řada: 700V CoolMOS CE MOSFET IPSA70R2K0CEAKMA1 N-kanálový 4 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET IPSA70R360P7SAKMA1 N-kanálový 12.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 12.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPSA70R750P7SAKMA1 N-kanálový 6.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 5 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPU60R1K5CEAKMA2 N-kanálový 5 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS CE MOSFET IPU60R2K1CEAKMA1 N-kanálový 3.7 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový